SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP1T0CW)
SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP1T0CW)
MZ-VAP1T0CW
Samsung 9100 Pro HeatSink je NVMe 2.0 M.2 SSD s PCIe 5.0 x4 vodilom in 1TB prostora. Dosega hitrosti branja do 14.700 MB/s in pisanja do 13.300 MB/s. Primeren je tako za oblikovalce, fotografe in video urednike, kot tudi za ustvarjanje z umetno inteligenco in za igranje iger. Opremljen s hladilnikom za boljše odvajanje toplote pri dolgotrajnejših obremenitvah.
- Pohitrite svoje delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenesejo, kopirajo in premikajo kar 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro.
- Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 2.200* kIOPS in pisanja do 2600* kIOPS. To poskrbi za hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, nalaganje iger, hitro večopravilnost in preprosto ustvarjanje ali oblikovanje.
- 9100 Pro je kompatibilen tako s prenosniki kot stacionarnimi računalniki in je na voljo v različnih kapacitetah. Odličen je za uporabo v video produkciji, oblikovanju in se odlično izkaže pri igranju iger.
- Disk je opremljen s 5nm kontrolerjem, ki je 49% učinkovitejši pri porabi energije kot 990 Pro. Optimizirano je tudi hlajenje, ki poskrbi za konsistentno delovanje brez upočasnitev.
- Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
- Oblika: M.2 2280
- NAND: Samsung V NAND TLC (V8)
- Opremljen z hladilnimi režami za boljše odvajanje toplote med delovanjem
- Kontroler: Samsung
- Cache pomnilnik: 1 GB LPDDR4X
- Kapaciteta: 1 TB
- Hitrost sekvenčnega branja: 14.700 MB/s
- Hitrost sekvenčnega pisanja: 13.300 MB/s
- Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): 1850K
- Hitrost naključnega pisanja (IOPS, QD32): 2600K
- Napajanje:
- Aktivno: 7.6W / 7.2 W
- V mirovanju: 4.0 mW / 3.3 mW
- Inteligentni TurboWrite 2.0: 114 GB
- Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
- TBW: 600
Splošno | |
|---|---|
| Format diska | M.2 |
| Vodilo | PCI-e 5.0 x4 NVMe |
| Kapaciteta | 1.000 GB |
| Hitrost branja | 14.700 MB/s |
| Hitrost zapisovanja | 13.300 MB/s |
Podrobnosti | |
| Tip čipov | V-NAND TLC |
| Kontroler | Samsung |
| Naključno branje | 1.850.000 IOPS |
| Naključno zapisovanje | 2.600.000 IOPS |
| Vzdržljivost | 600 TBW |

