Krajnik
0

V košarici ni izdelkov.

Akcija!

SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP1T0CW)

Znamka: samsung

Spletna cena

Izvirna cena je bila: 272,16 €.Trenutna cena je: 246,08 €.

Cena vključuje DDV.

SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP1T0CW)

Dobavljivo predvidoma: 2-4 delovne dni

Šifra: SSDSAM269 Kategorije: , , Oznaka:

SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP1T0CW)

SSD 1TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP1T0CW)

MZ-VAP1T0CW

Samsung 9100 Pro HeatSink je NVMe 2.0 M.2 SSD s PCIe 5.0 x4 vodilom in 1TB prostora. Dosega hitrosti branja do 14.700 MB/s in pisanja do 13.300 MB/s. Primeren je tako za oblikovalce, fotografe in video urednike, kot tudi za ustvarjanje z umetno inteligenco in za igranje iger. Opremljen s hladilnikom za boljše odvajanje toplote pri dolgotrajnejših obremenitvah.

  • Pohitrite svoje delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenesejo, kopirajo in premikajo kar 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro.
  • Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 2.200* kIOPS in pisanja do 2600* kIOPS. To poskrbi za hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, nalaganje iger, hitro večopravilnost in preprosto ustvarjanje ali oblikovanje.
  • 9100 Pro je kompatibilen tako s prenosniki kot stacionarnimi računalniki in je na voljo v različnih kapacitetah. Odličen je za uporabo v video produkciji, oblikovanju in se odlično izkaže pri igranju iger.
  • Disk je opremljen s 5nm kontrolerjem, ki je 49% učinkovitejši pri porabi energije kot 990 Pro. Optimizirano je tudi hlajenje, ki poskrbi za konsistentno delovanje brez upočasnitev.
  • Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
  • Oblika: M.2 2280
  • NAND: Samsung V NAND TLC (V8)
  • Opremljen z hladilnimi režami za boljše odvajanje toplote med delovanjem
  • Kontroler: Samsung
  • Cache pomnilnik: 1 GB LPDDR4X
  • Kapaciteta: 1 TB
  • Hitrost sekvenčnega branja: 14.700 MB/s
  • Hitrost sekvenčnega pisanja: 13.300 MB/s
  • Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): 1850K
  • Hitrost naključnega pisanja (IOPS, QD32): 2600K
  • Napajanje:
    • Aktivno: 7.6W / 7.2 W
    • V mirovanju: 4.0 mW / 3.3 mW
  • Inteligentni TurboWrite 2.0: 114 GB
  • Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
  • TBW: 600

Splošno

Format diskaM.2
VodiloPCI-e 5.0 x4 NVMe
Kapaciteta1.000 GB
Hitrost branja14.700 MB/s
Hitrost zapisovanja13.300 MB/s

Podrobnosti

Tip čipovV-NAND TLC
KontrolerSamsung
Naključno branje1.850.000 IOPS
Naključno zapisovanje2.600.000 IOPS
Vzdržljivost600 TBW
Proizvajalec

Garancija mesecev

60

Format diska

M.2

Kapaciteta diska

1TB

Kontakt proizvajalca

Samsung Electronics Co., Ltd.
129 Samsung, Yeongtong, Suwon
South Korea
https://www.samsung.com/

Zastopnik za EU:
Samsung Electronics Austria GmbH
Praterstrasse 31, 1020 Vienna
Austria
support@samsung.com

Povezani izdelki

    Košarica

    Live chat